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wafer di raffreddamento del substrato ceramico nitruro di silicio di raffreddamento del dissipatore di calore
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wafer di raffreddamento del substrato ceramico nitruro di silicio di raffreddamento del dissipatore di calore

    Tipo di pagamento: L/C,T/T,D/P,Paypal,Money Gram,Western Union
    Incoterm: FOB
    Quantità di ordine minimo: 1 Piece/Pieces
    Termine di consegna: 15 giorni

Informazioni basilari

Modello: Si3N4 116

Tipo: Piatto

Materiale: Argilla

Stile: Occidentale

uso: Nozze, Regalo di affari, Uso quotidiano, Decorazione del giardino, Decorazioni per la casa

caratteristica: Cinese

lavorazione: getto

Colore: bianca

Forma: Il giro

Età: Moderno

Decorazione di superficie: smaltato

Material: Alumina Ceramic

Color: White/Ivory

Size: Customized

Application: Machinery, Industry, Medical, Aerospace Etc.

Additional Info

Pacchetto: su misura

marchio: Difficile

Trasporti: Ocean,Land,Air

Luogo di origine: Guangdong, Cina

Abilità del rifornimento: 1,000,000 pcs/Month

Certificati : SGS

Porta: Shenzhen

Descrizione del prodotto

wafer di raffreddamento del substrato ceramico nitruro di silicio di raffreddamento del dissipatore di calore

La reputazione dipende dalla qualità, la qualità viene da Hard!


Nitruro di silicio ceramico:

Il film anodizzato è composto da due strati e lo strato esterno spesso poroso viene cresciuto su uno strato interno denso con proprietà dielettriche, e quest'ultimo è chiamato strato barriera (chiamato anche strato attivo). L'osservazione al microscopio elettronico ha rivelato che le facce longitudinali e laterali dello strato di pellicola mostravano quasi tutti i fori tubolari perpendicolari alla superficie del metallo, che penetravano nello strato esterno del film fino allo strato di barriera tra il film di ossido e l'interfaccia di metallo. L'allumina porosa è circondata da una densa allumina per formare un corpo esagonale a nido d'ape chiamato cellula unitaria e l'intero strato di pellicola è composto da una miriade di tali cellule unitarie. Lo strato barriera è composto da ossido di alluminio anidro, che è sottile e denso, ha un'alta durezza e impedisce il passaggio della corrente elettrica. Lo strato barriera ha uno spessore di circa 0,03-0,05 μm, che va dallo 0,5% al ​​2,0% dopo il film totale. Lo strato esterno poroso del film di ossido è composto principalmente da allumina amorfa e una piccola quantità di allumina idrata e contiene inoltre un catione dell'elettrolita. Quando l'elettrolita è acido solforico, il contenuto di solfato nello strato di film è normalmente del 13% -17%. La maggior parte delle eccellenti proprietà del film di ossido sono determinate dallo spessore e dalla porosità dello strato esterno poroso e sono tutte strettamente correlate alla condizione di anodizzazione. L'anodizzazione è divisa in forme attuali: anodizzazione a corrente continua, anodizzazione a corrente alternata e anodizzazione a corrente di impulso. Secondo l'elettrolita, la soluzione principale è l'ossidazione anodica naturale di acido solforico, acido ossalico, acido cromico, acido misto e acido solfoorganico. Secondo lo strato di pellicola, vi sono anodizzazione come una pellicola comune, una pellicola dura (pellicola spessa), una pellicola di porcellana, uno strato di modifica brillante e uno strato barriera per l'azione dei semiconduttori. I metodi di anodizzazione comuni e le condizioni di processo per alluminio e leghe di alluminio sono mostrati nella Tabella 5. Tra questi, l'applicazione dell'anodizzazione dell'acido solforico in corrente continua è comune.
Si3N4 chip

proprietà :

Elevata durezza, elevata resistenza, resistenza all'usura, resistenza alla corrosione, alta temperatura (1200 ° ), buona diffusività termica, buona resistenza agli shock termici (evitare che la temperatura cambi rapidamente), buona insulatività, bassa densità. Le proprietà complete sono le migliori nella maggior parte delle strutture ceramiche.


Scheda tecnica ↓

Colore: nero grigio
Densità: > 3,2 g / cm3
Durezza: HRA90
Durezza Vickers (Hv50): > 1550 HV0.5
Modulo di elasticità: 290Gpa
Resistenza alla flessione: > 600 MPa
Resistenza alla compressione: 2500 MPa
Modulo di elasticità (25 ° C): 65Gpa
Resistenza alla frattura: > 6,0 Mpam1 / 2
Temperatura massima di utilizzo: 1200 ° C
Conducibilità termica: 15-20 W (mK)
Coefficiente dilatazione termica: > 3,1 10-6 / ° C
Resistenza agli shock termici: 500 △ T ° C
Capacità termica speciale: 700 KJ / kg.K
Rigidità dielettrica: 1 KV / mm
Costante dielettrica: er
Resistività del volume (20 ° C): 1,0 * 10 (12) Ω.cm

Settore di applicazione :

Macchinari, elettronico, semiconduttore, chimico, petrolio, odore.


Applicazione specifica:

Albero di saldatura, substrato elettronico, pistone, ugello, guida di scorrimento, parti diesel, stampaggio metalli, ruote dell'albero ecc.


Perché scegliere noi?
1.12 anni di produzione professionale di ceramiche industriali
2. prodotti di alta qualità a basso prezzo
3. Parti di alta precisione con tolleranza minima
4. breve tempo per la produzione
5.Ha un gruppo di team di R&S esperti, professionali ed efficienti
6.Ha una buona reputazione in Cina e all'estero.

7.MOQ non è limitato, la piccola quantità è benvenuta.

8. team vivace e un buon servizio post-vendita


Manifestazione dei prodotti

silicon nitride



Manufacturing Process


FAQ

Q: sei società commerciale o produttore?
A: Siamo fabbrica.

Q: quanto tempo è il tempo di consegna?
A: Generalmente sono 5-10 giorni se le merci sono in magazzino. oppure sono 15-30 giorni se la merce non è disponibile, è in base alla quantità.

Q: fornite campioni? è gratuito o extra?
A: Sì, potremmo offrire il campione gratuitamente ma non pagare il costo del trasporto.
Q: Quali sono i termini di pagamento?

A: Pagamento <= 1000USD, 100% in anticipo. Pagamento> = 1000 USD, 50% T / T in anticipo, saldo prima della spedizione.

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